एक नियत आयाम की रेडियों तरंगे बनाएगा
[1989]
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(d) यदि दोलनित्र पूर्ण रूप से कार्यरत हो तो नियत आयाम की रेडियोतरंगें बनती हैं।
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    किसी आधार बायसित ट्रॉंजिस्टर के लिये $CE$ विन्यास में अन्तरण अभिलक्षण [ निर्गत वोल्टता $\left(V_0\right)$ तथा निवेश वोल्टता $\left(V_1\right)$ के बीच ] आरेख में दर्शाया गया है। ट्रांजिस्टर का स्विच के रूप में उपयोग करने के लिए, इसका उपयोग किया जाता है :

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    $500 K$ ताप पर शुद्ध सिलिकन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या$\left( n _{ e }\right)$ तथा होलों की संख्या $\left( n _{ h }\right)$ दोनों की ही सांद्रता $1.5 \times 10^{16} m ^{-3}$ है। इंडियम द्वारा मादन $($ अपमिश्रण $)$ करने पर $n _{ h }$ का मान बढ़कर $4.5 \times 10^{22} m ^{-3}$ हो जाता है तो मादित अर्द्ध चालक है:
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    किसी उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक की वोल्टता लब्बि $50$ , निवेश प्रतिबाधा $100 \Omega$ और निर्गत प्रतिबाधा $200 \Omega$ है। प्रवर्धक की शक्ति लब्धि है
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  • 5
    नीचे दिए गए परिपथ में, निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए निवेश का सही चयन है:

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    एक ट्राजिस्टर प्रवर्धनकारी में $\alpha=\frac{ I _{ C }}{ I _{ C }}, \beta=\frac{ I _{ C }}{ I _{ B }}$ जहां $I _{ C }$, $I _{ B }, I _{ C }$ क्रमशः कलैक्टर, बेस तथा एमीटर धारा हो तो-
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    आरेख में दर्शाये गये तर्क गेट (द्वार) का निर्गत $( X )$ होगा:

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    ट्रांजिस्टर का एक हिस्सा जिसमें अधिक संख्या में बहुसंख्यक वाहक है तथा वह अत्यधिक रोपित है, वह है-
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  • 9
    $C$ और $Si$ की एक सी जालक संरचना होती है। दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं। किन्तु $C$ एक रोधी है और $Si$ एक अर्द्धचालक क्योंकि :
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    एक $p$ - $n$ फोटोडायोड $2.0 eV-$बैंड अन्तराल के पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग होगी:
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