\(\therefore\) Potential barrier across diode
\(\Delta \mathrm{V}=0.7 \mathrm{volts}\)
Current, \(I=\frac{V-\Delta V}{R}=\frac{3-0.7}{200}\) \(=\frac{2.3}{200}=11.5 \mathrm{mA}\)
વિધાન $ -2 $ : તાપમાન વધારતા કન્ડશન બેન્ડમાં વધારે ચાર્જ કેરીયર મુક્ત થાય છે.
વિધાન $I:$ $PN$ જંકશન ડાયોડસનો ઉપયોગ ટ્રાન્ઝિસ્ટર રીતે કરવામાં આવે છે કે જેમાં બે સમાન ડાયોડોને એકબીજાને પીઠોપીઠ (back to back) જોડવામાં આવે છે કે જે બેઝ-ટર્મિનલ તરીકે વર્તે છે.
વિધાન $II :$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનાં અભ્યાસમાં, વિવર્ધન ગુણાંક $\beta$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને બેઝ પ્રવાહનો ગુણોત્તર દર્શાવે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પો પૈકી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.