નીચેના વિધાનો વિચારો.
$(I)$ $2 \mathrm{s}$ ઇલેક્ટ્રોન કરતા $2 \mathrm{p}$ ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો સરળ છે.
$(II)$ $Be$ ના $2 \mathrm{s}$ ઇલેક્ટ્રોન કરતા $B$ ની $2 \mathrm{p}$ ઇલેક્ટ્રોન અંદરના વિભાગ (inner core) દ્વારા કેન્દ્રથી વધુ આરછાદન પામેલા હોય છે
$(III)$ $2 \mathrm{p}$ ઇલેક્ટ્રોન કરતા $2 \mathrm{s}$ ઇલેક્ટ્રોનની વિભેદન શકિત વધારે હોય છે.
$(IV)$ $Be$ કરતા $B$ ની પરમાણ્વીય ત્રિજ્યા વધારે છે
(પરમાણ્વિય ક્રમાંક : $\mathrm{B}=5, \mathrm{Be}=4$)
સાચા વિધાનો જણાવો.
લીસ્ટ$-I$ (ક્રમિક આયનીકરણ શક્તિ) $\left( {kJ\,mo{l^{ - 1}}} \right)$ લીસ્ટ$-II$
તત્વો |
$IE_1$ |
$IE_2$ |
$IE_3$ |
|
|
$1$ |
$2080$ |
$3963$ |
$6130$ |
$(a)$ |
$H$ |
$2$ |
$520$ |
$7297$ |
$1810$ |
$(b)$ |
$Li$ |
$3$ |
$900$ |
$1758$ |
$14810$ |
$(c)$ |
$Be$ |
$4$ |
$800$ |
$2428$ |
$3600$ |
$(d)$ |
$B$ |
|
|
|
|
$(e)$ |
$Ne$ |