Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
ધારોકે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટીકમાં $5 \times {10^{28}}$ પરમાણુ /${m^3}$ છે. તેને $1$$ \,ppm$ ઘનતા (સાંદ્રતા) સાથે $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રૉન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $n_i =1.5\times10^{16}\,m^{-3}$ આપેલ છે.
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયોડ બહારના પ્રતિરોધક સાથે જોડાયેલ છે અને ધારો કે ને બેરીયર પોટેન્શિયલ એ ડાયોડમાં બનાવવામાં આવે છે. જે $0.5 V$ મેળવવામાં આવેલ છે. તો પરિપથમાં વિદ્યુત પ્રવાહની કિંમત...... મીલી એમ્પિયર.
$PN $ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ કરીને અર્ધ તરંગ રેક્ટિફાયરમાં ઓમ્પિપ્યુડ $25$ અને આવૃત્તિ $50Hz$ છે. કોઈ ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવ્યો અને ભાર વિદ્યુતપ્રવાહ $1000$ $\Omega$ છે. લાક્ષણિક ડાયોડનો ફોરવર્ડ વિદ્યુતપ્રવાહ $10$ $\Omega$ છે. તો રિપલ ફેક્ટર...... છે.
કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ અણુઓમાં ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેઓ તેમના વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડકન બેન્ડ ઊર્જા સ્તર દ્વારા અલગ પડે છે. આ ઊર્જા સ્તર અનુક્રમે $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ અને ${({E_g})_{Ge}}$ દ્વારા સૂચવવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?
$NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં $10^{10 } $ ઈલેક્ટ્રોન એમીટરમાં $10^{-6}$ સેકન્ડ માં દાખલ થાય છે અને $2\%$ ઈલેક્ટ્રોન બેઝમાં હોલ સાથે જોડાય છે. તો પ્રવાહ ગેઈન $\alpha$ અને $\beta$ અનુકમે .....છે.