$Cu $ અને અનડોપ $(undoped)$ $Si $ ના અવરોધોની તાપમાન નિર્ભરતા,તાપમાન વિસ્તાર $300-400$ $K$ સાથેના સંબંધને યોગ્ય રીતે વર્ણાવી શકાય :
A$Cu$ માટે સુરેખીય વધારો,$Si$ માટે ચરધાતાંક ઘટાડો.
B$Cu$ માટે સુરેખીય ઘટાડો,$Si$ માટે સુરેખીય ઘટાડો.
C$Cu$ માટે સુરેખીય વધારો,$Si$ માટે સુરેખીય વધારો.
D$Cu$ માટે સુરેખીય વધારો,$Si $ માટે ચરધાતાંક વધારો
JEE MAIN 2016, Easy
Download our app for free and get started
a \(Cu\) is conductor so with increase in temperature, resistance will increase
\(Si\) is semiconductor so with increase in temperature resistance will decrease
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
સીધો (ફોરવર્ડ) અવરોધ $50\, \Omega$ તેમજ અનંત ઉલટ (રિવર્સ) અવરોધ ધરાવતાં બે ડાયોડ પરિપથમાં દર્શાવ્યા છે. જે બેટરીનો વોલ્ટેજ $6\ V$ હોય તો $120\, \Omega$ અવરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ .......... $mA$ હશે.
અર્ધવાહક જર્મેનિયમ સ્ફટિકની બે બાજુઓ $A $ અને $B $ ને આર્સેનિક અને ઇન્ડિયમ વડે ક્રમશ: ડોપિંગ કરેલ છે. જેમને બેટરી સાથે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે જોડેલ છે. આ ગોઠવણ માટે વોલ્ટેજ-પ્રવાહનો સાચો ગ્રાફ કયો થાય?
નીચે આપેલ પરિપથ બે આદર્શ ડાયોડ ધરાવે છે. જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50\,\Omega $ છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6\,V$ હોય તો $100\,\Omega $ ના વિરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે.