किसी सिलिकन ट्रांजिस्टर का निवेश प्रतिरोध $100 \Omega$ है। आधार धारा में $40 \mu A$ के परिवर्तन से संग्राहक धारा में $2 mA$ का परिवर्तन होता है। इस ट्रांजिस्टर का, उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक के रूप में, $4 K \Omega$ लोड प्रतिरोध के साथ उपयोग किया गया है तो, प्रवर्धक की वोल्टता लब्धि होगी:
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आरेख में एक तर्क परिपथ दर्शाया गया है जिसमें दो निवेश $A$ तथा $B$ और एक निर्गत है। $A, B$ तथा $C$ के वोल्टता तरंगरूप दिये गये अनुसार है तो, तर्क परिपथ गेट है :
कार्बन, सिलिकान तथा जरमेनियम में चार वैलैन्स इलैक्ट्रॉन है। इनके कंड्क्शन बैण्ड तथा वैलैन्स बैण्ड के बीच ऊर्जा $\left( E _{ g }\right)_{ c },\left( E _{ g }\right)_{ si } \&\left( E _{ g }\right)_{ Ge }$ है। तो निम्न में से कौन-सा कथन सत्य है