b
આવર્તકોષ્ટકમાં ડાબી તરફથી જમણી તરફ \((Li → B)\) જતાં આયનીકરણ શક્તિ વધતી જાય છે અને ઉપરથી નીચેની તરફ તે ઘટતી જાય છે.

પરંતુ \(Be\left( {1{s^2}2{s^2}} \right)\)ની આયનીકરણ શક્તિ \(B\left( {1{s^2}2{s^2}2{p^1}} \right)\)કરતાં વધારે હોય છે. તેનું કારણ સંપૂર્ણ ભરાયેલ \(s\)-કક્ષક ઈલેક્ટ્રોન રચના છે.