નીચેનામાંથી ક્યું વિધાન સાચું છે?
Easy
Download our app for free and get started
b
${\mu _{N{F_3}}} < {\mu _{N{H_3}}}$ તેનું કારણ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે ની આંતર પ્રક્રિયા.
${\mu _{N{F_3}}} < {\mu _{N{H_3}}}$ તેનું કારણ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે ની આંતર પ્રક્રિયા.
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1$PF _{5}$ માં $P$ વડે પ્રદર્શિત સંકરણ એ $sp ^{x} d ^{y}$ તો $y$ નું મૂલ્ય $\dots\dots$ છે.View Solution
- 2સંયોજનનું બંધારણીય સૂત્ર $C{H_3} - CH = C = C{H_2}$ છે. ડાબેથી જમણે ચાર કાર્બન ના સંકરણનો પ્રકાર છે..... .View Solution
- 3$I^-_3$ આયન ......... ધરાવે છે.View Solution
- 4View Solutionનીચેનામાંથી અષ્ટફલકીય ક્યો પદાર્થ/આયન હશે?
- 5View Solutionસંહસયોજકતા માં
- 6View Solutionનીચેનમાંથી શેમાં બે નોડલ સમતલ હોય છે?
- 7$p - p$ કક્ષક નું સમિશ્રણ નીચેના માંથી ક્યાં અણુ માં હાજર છેView Solution
- 8View Solutionનીચેનામાંથી કયો અણુ ધ્રુવીય છે ?
- 9View Solutionનીચેનામાથી કયો અણુ ધ્રુવીય છે ?
- 10બેન્ઝીનના સંસ્પદન સૂત્રમાં $\sigma $ અને $\pi$ બંધોની સંખ્યા કેટલી છે?View Solution