$P$  પ્રકારનો અર્ધવાહક .......
  • A
    ધન વિદ્યુતભારિત હોય છે.
  • B
    ઋણ વિદ્યુતભારિત હોય છે.
  • C
    વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ છે.
  • D
    ઓરડાના તાપમાને ધન વિદ્યુતભારિત બને છે.
Easy
Download our app for free and get startedPlay store
c
art

Download our app
and get started for free

Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*

Similar Questions

  • 1
    ઇલેકટ્રીકલ ધટકોમાંથી ડાયોડને શોધવા માટે મલ્ટીમીટરનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, તો નીચેનામાંથી સાયું વિધાન પસંદ કરો.
    View Solution
  • 2
    જર્મેંનિયમ સ્ફટિકમાં થોડા પ્રમાણમાં ઍન્ટિમની અશુદ્ધિ ઉમેરતાં ...
    View Solution
  • 3
    હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_e$ અને $n_e$ વડે દર્શાવાય તો.....
    View Solution
  • 4
    $p-n$ જંકશનને સમાંતર. $0.4 \,V$ સ્થિતિમાન વિભવ મળે છે. $n$- બાજુથી એક ઈલેકટ્રોન જંકશનમાં $6.0 \times 10^{5} \,ms ^{-1}$ ની ઝડપથી દાખલ થાય છ. $p$ બાજુમાં દાખલ થતા ઈલેકટ્રોનની ઝડપ $\frac{x}{3} \times 10^{5} ms ^{-1}$ છે; તો $x$ =.............. ( ઈલેકટ્રોનનું દળ = $9 \times 10^{-31} \,kg$ ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $=1.6 \times 10^{-19} \,C$ આપેલ છે.)
    View Solution
  • 5
    ટ્રાન્ઝીસ્ટર એમ્પ્લીફાયર પાવર ગેઈન તથા વોલ્ટેજ ગેઈન અનુક્રમે $7.5$ અને $2.5$ છે. તો વિદ્યુતપ્રવાહ ગેઈનનું મુલ્ય?
    View Solution
  • 6
    નીચેનામાંથી અમોરફસ પદાર્થ કયો છે.
    View Solution
  • 7
    શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
    View Solution
  • 8
    આપેલ પરિપથ કયો ગેટ બને?
    View Solution
  • 9
    એક $CE $ ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરમાં કલેક્ટર અવરોધ $ 2 \;k\Omega$ પર ઑડિઓ સિગ્નલ વોલ્ટેજ $4\,V$ છે. જો ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો પ્રવાહ એમ્પ્લિફિકેશન ફેકટર $100$ અને બેઝ અવરોધ $1 \;k\Omega $ હોય, તો ઇનપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજ ($mV$ માં) કેટલો હશે?
    View Solution
  • 10
    અર્ધવાહક ડાયોડમાં $P$ ને જમીન સાથે અને $N$ ને $-2 \,V$ સ્થિતિમાન સાથે જોડતાં ડાયોડ
    View Solution