सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या $5 \times 10^{28}$ प्रति मी$^{3}$ है। यह साथ ही साथ आर्सेनिक के $5 \times 10^{22}$ परमाणु प्रति मी$.^3$ और इडियम के $5 \times 10^{20}$ परमाणु प्रति मी$^{3}$ में अपमिश्रित किया गया है। इलेक्ट्रॉन और होल की संख्या का परिकलन कीजिए। दिया है कि $n_{1 }= 1.5 \times 10^{16}m^{-3} $। दिया गया पदार्थ $n$ प्रकार का है या $p-$प्रकार का$?$
Exercise - 14.8
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Similar Questions

  • 1
    किसी $p-n$ संधि डायोड में धारा I को इस प्रकार व्यक्त किया जा सकता है
    $I = I_{0} \exp \left(\frac{e V}{2 k_{B} T}-1\right)$
    जहाँ $I_0$ को उत्क्रमित संतृप्त धारा कहते हैं, $V$ डायोड के सिरों पर वोल्टता है तथा यह अग्रदिशिक बायस के लिए धनात्मक तथा पश्चदिशिक बायस के लिए ऋणात्मक है। I डायोड से प्रवाहित धारा है,$ k_B$ बोल्ट्जिमान नियतांक $(8.6\times 10^{-5} eV/K)$ है तथा $T$ परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए $I_0 = 5 \times 10^{-12} A $ तथा $T = 300\ K$ है, तब
    1. $0.6\ V$ अग्रदिशिक वोल्टता के लिए अग्रदिशिक धारा क्या होगी?
    2. यदि डायोड के सिरों पर वोल्टता को बढ़ाकर $0.7\ V$ कर दें तो धारा में कितनी वृद्धि हो जाएगी?
    3. गतिक प्रतिरोध कितना है?
    4. यदि पश्चदिशिक वोल्टता को $1\ V$ से $2\ V$ कर दें तो धारा का मान क्या होगा?
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  • 2
    यह ज्ञात है कि पश्चदिशिक बायस की धारा (माइक्रो ऐम्पियर) की तुलना में अग्रदिशिक बायस की धारा (~ मिली ऐम्पियर) अधिक होती है तो फिर फोटोडायोड को पश्चदिशिक बायस में प्रचालित करने का क्या कारण है?
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  • 3
    चित्र में दिए गए निवेश $\mathrm{A}$ तथा B के लिए OR गेट के निर्गत तरंगरूप को न्यायोचित ठहराइए।
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  • 4

    किसी सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलाक्षणिक चित्र में दर्शाया गया है। डायोड का प्रतिरोध
    1. $ID = 15 \ mA$ तथा
    2. $V_{D }= −10 V$ पर परिकलित कीजिए।
      Image
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  • 5
    किसी ज़ेनर नियंत्रित विद्युत आपूर्ति में नियंत्रण के लिए $V_{\mathrm{Z}}=6.0 \mathrm{~V}$ के साथ ज़ेनर डायोड का उपयोग किया जाता है। लोड धारा का मान $ 4.0 \mathrm{~mA}$ रखा जाना है तथा अनियंत्रित निवेश वोल्टता $10.0 \mathrm{~V}$ है। श्रेणी प्रतिरोधक $R_{\mathrm{S}}$ का मान क्या होना चाहिए?
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  • 6
    नीचे दिखाए गए निवेश A तथा B के लिए NAND गेट के निर्गत Y को स्केच कीजिए।
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  • 7View Solution
  • 8View Solution
  • 9
    क्या $\mathrm{p}-\mathrm{n}$ संधि बनाने के लिए हम p-प्रकार के अर्धचालक की एक पट्टी को $\mathrm{n}$-प्रकार के अर्धचालक से भौतिक रूप से संयोजित कर $\mathrm{p}-\mathrm{n}$संधि प्राप्त कर सकते हैं?
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  • 10
    कोई p-n फोटोडायोड 2.8 eV बैंड अंतराल वाले अर्धचालक से संविरचित है। क्या यह 6000 nm की तरंगदैर्घ्य का संसूंचन कर सकता है?
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