$Xe{F_2}$ ના સર્જનમાં $Xe$ ના બે ઇલેક્ટ્રોન્સ બંધનમાં વપરાય છે અને બાકીના $6$ ઇલેક્ટ્રોન્સ ત્રણ અબંધકારક યુગ્મ બનાવે છે.
તે જ પ્રમાણે $Xe{F_4}$ માં બંધનમાં $4$ ઇલેક્ટ્રોન્સ વપરાય છે અને બાજીના $2$ ઇલેક્ટ્રન્સ અબંધકારક યુગ્મ બનાવે છે.
અને $Xe{F_6}$ માં $Xe$ ના $6$ ઇલેક્ટ્રોન્સ બંધનમાં વપરાય છે અને બાકીના $2$ ઇલેક્ટ્રોન એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ રચે છે.
$A$.ધન આયન ની ધ્રુવીકરણ શક્તિ (સામર્થ્ય)
$B$.ઋણ આયન ના વિચ્છેદ (વિકૃતિ) ની હદ (વિસ્તાર)
$C$.ઋણ આયન ની ધ્રુવીયતા
$D$. આયન ની ધ્રુવીકરણ શક્તિ (સામર્થ્ય)