$A.$ $75\,W$ નો પારરક્ત ગોળાનું
$B.$ $10\,W$ ના પારરક્ત ગોળાનું
$C.$ $75\,W$ ના પારજાંબલી ગોળાનું
$D.$ $10\,W$ ના પારજાંબલી ગોળાનું
એકરંગી વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે ત્યારે ફોટો ઈલેકટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
નીયે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાયો જવાબ પસંદ કરો.
વિધાન $I:$ સુક્ષ્મ તરંગ, પારરકત તરંગ અને પારજાંબલી તરંગોમાંથી પારજાંબલી તરંગો ધાત્વીય સપાટી પરથી સૌથી વધુ અસરકારક રીતે ઈલેકટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે.
વિધાન $II:$ સીમા આવૃત્તિની ઉપર, પ્રકાશીય ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાએ આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોની સત્યાર્થતાને આધારે, નીચેના યોગ્ય વિકલ્પોમાંથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.
કથન $A :$ : ઈલેક્ટ્રોન તરંગ સ્વરૂપ દર્શાવે છે તથા વ્યતિકરણ અને વિવર્તન દર્શાવે છે.
કારણ $R :$ ડેવીસન - ગર્મર પ્રયોગ સાબિત કરે છે કે ઈલેકટ્રોન્સ તરંગ સ્વરૂપ ધરાવે છે.
ઉપરના વિધાનોના સંદર્ભમાં નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી વધુ બંધબેસતો જવાબ પસંદ કરો.
કથન $I$ : ફોટોઈલેકટ્રીક અસરમાં સ્ટોપિગ પોટેન્શિયલ પ્રકાશ ઉદગમના પાવર પર આધાર રાખતો નથી.
કથન $II$ : આપેલ ધાતુ માટે ફોટો ઇલેકટ્રોનની ગતિઉર્જા આપાત પ્રકાશની તરંગ લંબાઈ પર આધાર રાખે છે.
ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્ભમાં, નીયે આપેલ વિકલ્પોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.
$A.$ સ્ટોપિગ સ્થિતિમાન ફક્ત ધાતુના કાર્ય-વિધેય પર આધાર રાખે છે.
$B.$ આપાત પ્રકાશની તીવ્રતાની સાથે સંતૃપ્ત પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ ફોટોઈલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$D.$ ફોટોઈલેકટ્રીક અસરને પ્રકાશના તરંગવાદ વડે સમજાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો વિક્લપ પસંદ કરો.
$A$. ફોટો પ્રવાહ આપાત વિકિરણની તીવ્રતાના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
$B$. ફોટો ઈલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$C$. ઉત્સર્જિત ફોટો ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃતિ પર આધાર રાખે છે.
$D$. ફોટોઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટે આપાત વિકિરણની ન્યૂનતમ થ્રેશોલ્ડ તીવ્રતાની જરૂર છે.
$E$. ફોટો ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિથી સ્વતંત્ર છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો ઉત્તર પસંદ કરો.
લીસ્ટ $I$ | લીસ્ટ $II$ |
$A$ પલાન્ક અચળાંક $( h )$ | $I$ $\left[ M ^1 L ^2 T ^{-2}\right]$ |
$B$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $( Vs )$ | $II$ $\left[ M ^1 L ^1 T ^{-1}\right]$ |
$C$ કાર્ય વિધેય $(\phi)$ | $III$ $\left[ M ^1 L ^2 T ^{-1}\right]$ |
$D$ વેગમાન $( p )$ | $IV$ $\left[ M ^1 L ^2 T ^{-3} A ^{-1}\right]$ |
ક્થન $A$ : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ફોટો-ધાતુનું વર્કફંક્શન (કાર્યવિધેય) કરતાં ઓછી હોય તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર મળશે નહી.
ક્થન $R$ : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ધાતુના કાર્યવિધેય જેટલી હશે તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શૂન્ય થશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો
વિધાન $I$ :ડેવીસન - ગર્મરનો પ્રયોગ ઈલેક્ટ્રોનનો તરંગ સ્વભાવ પ્રસ્થાપિત કરે છે.
વિધાન $II$ : જે ઈલેક્ટ્રોનને તરંગ સ્વભાવ હોય, તો તે વ્યતિકરણ અનુભવે અને વિવર્તન દર્શાવે.
નીચેના વિકલ્પોમાંથી સાચો ઉત્તર પસંદ કરો :
અત્રે
$m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ
$P$ = ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન
$K$ = ઇલેક્ટ્રોનનીની ગતિઊર્જા
$V$ = ઇલેક્ટ્રોન માટે વોલ્ટમાં પ્રવેગક સ્થિતિમાન
$E=200\left[\sin \left(6 \times 10^{15}\right) t+\sin \left(9 \times 10^{15}\right) t\right]^{-1}$ જો આ પ્રકાશ $2.50 \,eV$, જેટલું કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુની ગતિઉર્જા ...........$eV$ હશે. (Given : $h=4.14 \times 10^{-15} \,eVs$)
$(A)$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઘટનામાં, ફોટોઈલેટ્રોન્સના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$(B)$ પ્રકાશ ઉદગમને ધાતુ સપાટીથી દૂર ખસેડતા સંતૃપ્ત પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$(C)$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ ઉદગમનો વિદ્યુતકીય પાવર ઘટાડતા ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા ઘટે છે.
$(D)$ ધાતુ સપાટીમાંથી ફોટોઈલેટ્રોન્સનું તત્ક્ષણીક (ત્વરીત) ઉત્સર્જન પ્રકાશના વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપની મદદથી સમજાવી શકાય નહી.
$(E)$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ (કારણ) પ્રકાશ/વિદ્યુત ચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂ૫ ની મદદથી સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$\left\lfloor{m}_{e}=\text { mass of electron }=9 \times 10^{-31} \,{kg}\right.$
${h}=\text { Planck constant }=6.6 \times 10^{-34} {Js}$
$\left.{k}_{{B}}=\text { Boltzmann constant }=1.38 \times 10^{-23}\, {JK}^{-1}\right]$
વિધાન $I$ : સમાન રેખીય વેગમાન ધરાવતાં બે ફોટોનને સમાન તરંગલંબાઈઓ છે.
વિધાન $II$ : જે ફોટોનની તરંગલંબાઈ ઘટે તો ફોટોનનું વેગમાન અને ઊર્જા પણ ઘટે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પો પૈકી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.
${hc}=20 \times 10^{-26}\, {J}-{m}$, ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $=9 \times 10^{-31} \,{kg}$
$\left({h}=6.63 \times 10^{-34}\, {J} \cdots\right.$, $\left.{c}=3 \times 10^{8} \,{ms}^{-1}\right)$
(ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $=9.1 \times 10^{-31} \,{kg}$ )
(પ્લાંક અચળાંક $\left. h =6.62 \times 10^{-34}\, J . s \right)$
(નાઇટ્રોજન અણુનું દળ :$4.64 \times 10^{-26}\, kg ,$
બોલ્ટ્ઝ્મેન અચળાંક : $1.38 \times 10^{-23}\, J / K ,$
પ્લાંક અચળાંક : $\left.6.63 \times 10^{-34}\, J . s \right)$
$\left(\mathrm{hc}=1240\; \mathrm{eV} \mathrm{nm}, 1\; \mathrm{eV}=1.6 \times 10^{-19} \;\mathrm{J}\right)$
$E$ ( $eV$ માં) $ = \frac{{1237}}{{\lambda \left( {in\,nm} \right)}}$
($(h) = 6.63 \times 10^{-34}\, Js$,$e = 1.6 \times 10^{-19}\, C$)
[$1 eV=1.6\times 10^{-19}\,J$ આપેલ છે.]
$B = B_0 [sin\,(3.14 \times 10^7)\,ct\,+\,sin\,(6.28 \times 10^7)\,ct]$
વડે આપવામાં આવે છે. જો આ પ્રકાશ કોઇ એક ચાંદીની તક્તિ કે જેનું કાર્ય વિધેય $4.7\, eV$ હોય તેની પર પડે તો ફોટોઇલેક્ટ્રૉનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલા .............. $eV$ હશે?
($c=3\times 10^8\, ms^{-1}\,, h=6.6\times 10^{-34}\,J-s$ લો.)
( ફોટોનની ઊર્જા $ = \frac{{1240}}{{\lambda {\rm{(in\, nm)}}}}\,eV$)