$\text { ( } h \mathrm{c}=1242 \mathrm{eVnm}$ આપેલ છે.)
$\text { ( } \mathrm{h}=6.6 \times 10^{-34} \mathrm{Js}, \mathrm{e}=1.6 \times10^{-19}\mathrm{C}$આપેલ છે.
નીચેના વિકલ્પોમાથી ક્યો વિકલ્પ સાચો છે?
ક્થન $(A)$ : $p-n$ જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ કરતા વધારે હોય, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય.
Reason $R:$ Diffusion current in a $p-n$ junction is from the $n$-side to the $p$-side if the junction is forward biased.
કારણ $(R)$ : $p-n$ જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહ $n$ બાજુથી $p$ બાજુ સુધીનો હોય છે, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય.
ઉપરોક્ત વિધાનોમાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
કથન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે સામાન્ય રીત ફોટોડાયોડને ફોરવર્ડ-બાયસ સ્થિતિમાં વાપરવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $P-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, આપેલ વોલ્ટેજ $V$ માટે, ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ કરતાં વધારે હીય છે. જ્યાં| $V _{ z }|>\pm V \geq| V _0 \mid$ અહીયા $v_0$ એ શ્રેસોલ્ડ વોલ્ટેજ અને $v_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરના વિધાનોના સંદર્ભમાં નીચે આપેલા વિકલ્પેમાંથી સૌથી વધુ બંધ બેસતો જવાબ પસંદ કરો.
કારણ $A$ : પ્રકાશની તીવ્રતાના માપન માટે ફોટો ડાયોડને વિશેષમાં રીવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં વાપરવામાં આવે છે.
કારણ $R : p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહનું મૂલ્ય રીવર્સ બાયસ સ્થિતિ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરના કથનના સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી વધુ બંધ બેસતો જવાબ પસંદ કરો.
કથન $I$ : જ્યારે $Si$ નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે $P$ પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી $P-$પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને $N-$પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે.
કથન $II$ : જયારે $P-$પ્રકાર અને $N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે.
ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.
$A.$ તે પુષ્કળ ડોપિંગ ધરાવતું $p-n$ જંકશન છે.
$B.$ તેને જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે ત્યારે જ પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે.
$C.$ તેન જ્યારે રીવર્સ બાયસ આપવામાં આવે ત્યારે જ પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે.
$D.$ ઉત્સર્જિત પ્રકાશની ઉર્જા વાપરવામાં આવેલ અર્ધવાહકના ઉર્જા અંતરાલના બરાબર અથવા થોડીક ઓછી હોય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાયો જવાબ પસંદ કરો.
લિસ્ટ $I$ | લિસ્ટ $II$ |
$A$ અંતર્ગત અર્ધવાહક | $I$ ફર્મી સ્તર કન્ડકશન બેન્ડની નજીક હોય |
$B$ $n-$ પ્રકારનો અર્ધવાહક | $II$ ફર્મી સ્તર વચ્ચે હોય |
$C$ $p-$ પ્રકારનો અર્ધવાહક | $III$ ફર્મી સ્તર વેલેન્સ બેન્ડની નજીક હોય |
$D$ ધાતુ | $IV$ ફર્મી સ્તર કન્ડકશન બેન્ડની અંદર હોય |
આપેલ વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન $I:$ એક ચોક્કસ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, એમીટર, બેઝ અને કલેકટર ત્રણેય વિભાગમાં અશુદ્ધિનું સમાન પ્રમાણ હોય છે.
વિધાન $II:$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, કલેકટર સૌથી જાડો વિસ્તાર અને બેઝ એ સૌથી પાતળો વિભાગ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના સંદર્ભમાં નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.
જો ઈનપુટ અવરોધ $200 \Omega$ હોય અને આઉટપુટ અવરોધ $60 \Omega$ હોય, તો પ્રયોગમાં વોલ્ટેજ લબ્ધિ $(gain)$........... થશે.
કથન $A$ : $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર, $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતા વધારે પ્રવાહ પસાર થવા દે છે.
કારણ $R$ : ઈલેકટ્રોનની વિદ્યુત વાહક તરીકેની મોબીલીટી વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં નીચે આપેલા વિકલ્પો પૈકી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.
$\left[ h =6.63 \times 10^{-34} \;Js \right.$ and $\left. c =3 \times 10^{8} \;ms ^{-1}\right]$