Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ be $q_1$ અને $q_2$ વિદ્યુતભાર $30\;cm$ અંતરે છે. ત્રીજો વિદ્યુતભાર $q_3$ ને $C$ થી $D$ સુધી $40 \;cm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળની ચાપ પર લઇ જવામાં આવે છે. તંત્રની સ્થિતિઊર્જામા $\frac{{{q_3}}}{{4\pi {\varepsilon _0}}}k$ ફેરફાર થાય તો, $k=$
એક સમાંતર પ્લેટ્સ કેપેસિટરને $5$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિકના ઉપયોગથી એ રીતે ડિઝાઈન કરવાનો છે કે તેની ડાયઈલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \;Vm ^{-1}$ થાય. જો કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \;kV$ હોય, તો $80 \;pF$ કેપાસિટન્સ હોય તેવા કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ્નું લધુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?
$C - R$ પરિપથ પરના પ્રયોગમાં બે સમાન કેપેસિટરનું સંયોજન, અવરોધ અને વોલ્ટેજના $6V$ વોલ્ટેજ ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરોના સમાંતર જોડાણ માટે, જોડાણના પૂર્ણ વિદ્યુતભારીત વોલ્ટેજના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતાં અડધું બનવા માટે નો સમય $10$ સેકન્ડ છે, શ્રેણી જોડાણ માટે, પૂર્ણ વિદ્યુતભારીત વોલ્ટેજનું અડધુ બનવા માટેનો જરૂરી સમય ......સેકન્ડ
$1\ \mu F$ અને $2\ \mu F$ ધરાવતા બે કેપેસિટરોને શ્રેણીમાં જોડેલા છે. અને આ જોડાણ $120$ વોલ્ટના સ્થિતિમાન તફાવત સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે. તો $1\ \mu F$ કેપેસિટર વચ્ચેનો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા.........$volt$ હશે ?
$600\,pF$ નું એક કેપેસીટર $200\,V$ સપ્લાય વડે વીજ ભારિત કરવામાં આવે છે. ત્યાર બાદ તેને ઉદગમથી છૂટુ પાડીને $600\,pF$ ના બીજા કેપેસીટર સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્રક્રિયામાં વ્યય થતી સ્થિતવિદ્યુત ઊર્જા ............ $\mu J$ છે.
કણ $A$ પરનો વિદ્યુતભાર $+q$ તથા કણ $B$ પરનો વિદ્યુતભાર $+4q$ છે તથા તેમના દળ સમાન છે જ્યારે તેમની સમાન વિદ્યુત સ્થીતીમાનના તફાવત હેઠળ સ્થીર સ્થીતીમાંથી મુક્ત કરવામાં આવે તો તેમની ઝડપ $V_A / V_B$ નો ગુણોત્તર....
$R$ અને $4 R$ ત્રિજયાના સમકેન્દ્રિય ધાત્વિય ગોળીય કવચ પર અનુક્રમે $Q _{1}$ અને $Q _{2}$ વિજભાર છે. બંને સમકેન્દ્રિય ધાત્વિય ગોળીય કવચની પૃષ્ઠ વિજભાર ઘનતા સમાન હોય તો તેમના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V ( R )- V (4 R )$ કેટલો હશે?