Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
અંતર્ગત અર્ધવાહક $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી $0.35\,m^2/V-s$ અને $0.18\,m^2/V-s$ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ધનતા સમાન $2.5 \times 10^{19}/m^3$ હોય તો વાહક્તા ....... $S/m$