$C$ અને $Si$ ના સ્ફટિક બંધારણ સમાન છે, બંને પાસે $4$ વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે. પરંતુ $C$ અવાહક જ્યારે $ Si $ અર્ધવાહક તરીકે વર્તે છે, કારણ કે
A$C$ માં નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને વેલેન્સ બેન્ડ સંપૂર્ણ ભરાયેલ નથી.
B$C$ માં કન્ડશન બેન્ડ નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને અંશ:ત ભરાયેલ હોય છે.
C$C$ માં વેલેન્સ ઇલેકટ્રોન બીજી કક્ષામાં, જયારે $Si$ માં વેલેન્સ ઇલેકટ્રોન ત્રીજી કક્ષામાં હોય છે.
D$C$ માં વેલેન્સ ઇલેકટ્રોન ત્રીજી કક્ષામાં,જયારે $Si$ માં વેલેન્સ ઇલેકટ્રોન ચોથી કક્ષામાં હોય છે.
AIPMT 2012, Easy
Download our app for free and get started
c Electronic configuration of carbon \(\left(^{6} \mathrm{C}\right)\) is \(1 s^{2} 2 s^{2} 2 p^{2} .\)
The electronic configuration of silicon \(\left(_{14} \mathrm{Si}\right)\) is \(1 s^{2} 2 s^{2} 2 p^{6} 3 s^{2} 3 p^{2}\)
Hence, the four bonding electrons of \(\mathrm{C}\) and \(\mathrm{Si}\) respectively lie in second and third orbit.
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*