કથન $I$ : જ્યારે $Si$ નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે $P$ પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી $P-$પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને $N-$પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે.

કથન $II$ : જયારે $P-$પ્રકાર અને $N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે.

ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.

વિધાન $ -2 $ : તાપમાન વધારતા કન્ડશન બેન્ડમાં વધારે ચાર્જ કેરીયર મુક્ત થાય છે.

નીચેના વિકલ્પોમાથી ક્યો વિકલ્પ સાચો છે?