\(C{u^{2 + }}\left[ {\begin{array}{*{20}{c}}
{O\,\,} \\
{ \uparrow \,\,} \\
{{O^ - } - S \to {O^ - }} \\
{ \downarrow \,\,} \\
{O\,\,}
\end{array}} \right] \cdot 5{H_2}O\)
$(I)\, SP_4 \,\,\,(II)\, XeO_4 \,\,\,(Ill) \,XeF_4 \,\,\,(IV)\, ICl^-_4$
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .