વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો. 

વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે. 

કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે . 

JEE MAIN 2015, Diffcult
Download our app for free and get startedPlay store
b
Assertion is correct but reason is incorrect. Bonding $MO$ shows constructive interference of the combining electron oxide waves.
art

Download our app
and get started for free

Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*

Similar Questions

  • 1
    જ્યારે બે હાઇડ્રોજન પરમાણુ એકબીજા સાથે જોડાયેલા હોય ત્યારે  
    View Solution
  • 2
    $Xe{F_2},Xe{F_4}$ અને $Xe{F_6}$ માં ઉપરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની સંખ્યા અનુક્રમે નીચેનામાંથી કઇ હશે?
    View Solution
  • 3
    નીચેનામાંથી ક્યા અણુ/આયનમાં બધા બંધ સમાન નથી.
    View Solution
  • 4
    નીચેના પૈકી બંધકોણનો સાચો ક્રમ ક્યો છે?
    View Solution
  • 5
    નીચેનામાંથી કયું સંકરણ બિન-રેખીય કક્ષકમાં પરિણમે છે
    View Solution
  • 6
    કયા પદાર્થમાં સૌથી વધુ ગલનબિંદુ છે?
    View Solution
  • 7
    $Images-1$ ની દ્વિધુવ ચાકમાત્રા $1.5 \,D$ હોય, તો $Images-2$ ની દ્વિધુવ ચાકમાત્રા .................. $\mathrm{D}$ થશે.
    View Solution
  • 8
     નીચેનામાંથી કયા આયનો/સંયોજનોના સમતલીય બંધારણીય છે?
    View Solution
  • 9
    $CO_2$ નીચેનામાંથી કોની સાથે સમબંધારણીય છે?
    View Solution
  • 10
    પરમાણુઓની કઈ જોડી ધ્રુવીય ઘટકો છે?
    View Solution