b (b) Photo current \((i)\) directly proportional to light intensity \((I)\) falling on a photosensitive plate.
==> \(i \propto I\)
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
હાયદ્રોગેન પરમાણુમાં $3 \rightarrow 2$ સંક્રાતિ દરમિયાન ઉત્સાર્જીત વિકિરણ સોનાની સપાટી પર આપત કરીને ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરવામાં આવે છે. આ ઇલેક્ટ્રોનને $5 \times 10^{-4} \,{T}$ જેટલા ચુંબકીયક્ષેત્રમાંથી પસાર કરવામાં આવે છે. ધારો કે આ ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા ઉત્પન્ન થતાં વરુલકાર પથની મહત્તમ ત્રિજ્યા $7\, {mm}$ છે, તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ($eV$ માં) કેટલું હશે?
$20\,kV$, થી પ્રવેગિત ઇલેકટ્રોન પૂંજનો ઉપયોગ ઇલેકટ્રોન માઈક્રોસ્કોપમાં થાય છે, જેની તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. હવે જ્યારે વોલ્ટેજને વધારીને $40\,kV$, કરવામાં આવે, તો ઈલેકટ્રોન પૂંજ સાથે સંકળાયેલ દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $..........$ થશે.
જ્યારે ફોટો ઈલેક્ટ્રીક સેલથી $0.2\ m$ અંતરે એકવર્ણીં પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત મૂકેલ હોય ત્યારે તેનો કટ ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત વિદ્યુતપ્રવાહ અનુક્રમે $0.6$ વોલ્ટ અને $18\ mA$ છે. જો સમાન સ્ત્રોતને ફોટો ઈલેક્ટ્રીક સેલથી $0.6\ m$ દૂર મૂકવામાં આવે તો......