ધાતુ,અર્ધઘાતુ અને અવાહકમાં બેન્ડ ગેપ ઊર્જાનો સંબંધ નીચેનામાથી કયો થાય?
Easy
Download our app for free and get started
b
The correct relation for forbidden energy gap in conductor, semi conductor and insulator is \(\Delta Eg\) insulator \(>\Delta EgSC > Eg _{\text {conductor }}\)
The correct relation for forbidden energy gap in conductor, semi conductor and insulator is \(\Delta Eg\) insulator \(>\Delta EgSC > Eg _{\text {conductor }}\)
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1View Solutionનીચેનામાંથી કયા ડાયોડ રિવર્સ બાયસ હશે?
- 2અર્ધ-તરંગ રેકટીફાયરમાં,જો ઈનપુટ (આદાન)આવૃત્તિ $60\,Hz$ હોય, તો આઉટપુટ આવૃત્તિ $\dots\dots\dots\,Hz$ હશે.View Solution
- 3નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને $Si $ અર્ધવાહક ........ તરીકે વર્તેં છે.View Solution
- 4$N-$ પ્રકારના $Ge $ માં ઈલેક્ટ્રોન્સની મોબિલીટી $5000cm^2/volt sec$ અને વાહકતા $5mho/cm $ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણી શકાય એવી હોય તો મિશ્રણના અશુદ્ધતાનું પ્રમાણ કેટલું હશે?View Solution
- 5View Solutionનીચેનામાંથી કયો સંબંધ બુલિયન ગણિત પ્રમાણે સાચો છે?
- 6View Solutionઝેનર ડાયોડમાં રીવર્સ બાયસમાં બ્રેક ડાઉન કોનાં કારણો થાય છે ?
- 7View Solutionએક પદાર્થ માટે ઊર્જા સ્તર નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનને છે. આ પદાર્થ કયો હશે?
- 8View Solutionનીચેનામાંથી કયો સંબંધ બુલિયન ગણિત પ્રમાણે સાચો છે?
- 9View Solutionટ્રાન્ઝીસ્ટરમાં બેઝને ખૂબ ઓછા પ્રમાણમાં ડોપીંગ કરેલ છે. સાપેક્ષમાં એમીટરની કારણ કે
- 10એક $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસ સ્ચિતિમાં $I-V$ લાક્ષણિક્તા આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. લગાવેલા ફોરવર્ડ બાયસ વોલ્ટેન અનુક્રમે $2 \,V$ અને $4 \,V$ ને આનુષાંગિક ગત્યાત્મક અવરોધોનો (dynamic resistance) ગુણોત્તર ......... થશે.View Solution
