નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને $Si $ અર્ધવાહક ........ તરીકે વર્તેં છે.
AIPMT 1988,AIEEE 2002
Download our app for free and get started
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1પૂર્ણ તરંગ $P.N$ ડાયોડ રેક્ટિફાયરમાં $1500$ $\Omega$ નો ભાર વાહક ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવતો. ધારો કે દરેક ડાયોડને લાક્ષણિક ભાર $Rf = 10$ $\Omega$ અને $Rf = \infty $ છે. જ્યારે દરેક ડાયોડને તરંગ વોલ્ટેજ લાગુ પાડવામાં આવે તેમનો કંપન વિસ્તાર $30$ વોલ્ટ અને આવૃત્તિ $50Hz$ છે, તો $d.c.$ પાવર ઈનપુટ અને $A.C$ પાવર આઉટપુટની કિંમત અનુક્રમે ........છે.View Solution
- 2ફોટોડાયોડની વાહકતા ફક્ત જયારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $660 \mathrm{~nm}$ થી ઓછી હોય ત્યારે બદલાય છે. ફોટોડાયોડ માટે બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{X}{8}\right) \mathrm{eV}$ જેટલો મળે છે, તો $X$ નું મૂલ્ય_________છે.View Solution
$\text { ( } \mathrm{h}=6.6 \times 10^{-34} \mathrm{Js}, \mathrm{e}=1.6 \times10^{-19}\mathrm{C}$આપેલ છે.
- 3$A = B = C = 0 $ અને $A = B = 1, C = 0 $ ઇનપુટ માટે આઉટપુટ કેટલો થાય?View Solution
- 4શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.View Solution
- 5ડાયોડનો વોલ્ટેજ $0.7 V$ કરવા માટે પરિપથમાં $ 1mA$ પ્રવાહની જરૂર પડે છે,જો $V_B = 5 V$ હોય,તો $R= $_____View Solution
- 6કોમન એમિટરનો પ્રવાહ ગેઇન $\beta = 100$ હોય,તો આઉટપુટ વોલ્ટેજ કેટલો થાય?View Solution
- 7$10 \mathrm{~V}$ ના બ્રેકડાઉન ધરાવતો ઝેનર ડાયોડ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા અનુસાર વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર (નિયામક) તરીકે ઉપયોગમાં લેવામાં આવે છે. ઝેનર ડાયોડમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ_________છે.View Solution
- 8View Solutionજેમ તાપમાન વધે તેમ વિદ્યુતકિય અવરોધ ......
- 9ત્રણ એમ્પલીફાયરનાં દરેકનાં વોલ્ટેજ ગેઈન $10$ ને શ્રેણીમાં જોડેલ છે. તો પરીણામી ગેઈનView Solution
- 10લિસ્ટ $I$ ને લિસ્ટ $II$ સાથે મેળવોView Solution
લિસ્ટ $I$ લિસ્ટ $II$ $A$ અંતર્ગત અર્ધવાહક $I$ ફર્મી સ્તર કન્ડકશન બેન્ડની નજીક હોય $B$ $n-$ પ્રકારનો અર્ધવાહક $II$ ફર્મી સ્તર વચ્ચે હોય $C$ $p-$ પ્રકારનો અર્ધવાહક $III$ ફર્મી સ્તર વેલેન્સ બેન્ડની નજીક હોય $D$ ધાતુ $IV$ ફર્મી સ્તર કન્ડકશન બેન્ડની અંદર હોય આપેલ વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.