Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
ધારોકે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટીકમાં $5 \times {10^{28}}$ પરમાણુ /${m^3}$ છે. તેને $1$$ \,ppm$ ઘનતા (સાંદ્રતા) સાથે $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રૉન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $n_i =1.5\times10^{16}\,m^{-3}$ આપેલ છે.
ટ્રાન્ઝીસ્ટરની વિદ્યૂતપ્રવાહ એમ્પ્લીફીકેશન ફેક્ટર $60$ છે. $CE$ એમ્પ્લીફાયરમાં ઈનપુટ અવરોધ $1 \,k\, \Omega$ અને આાઉટપુટ વોલ્ટેજ $0.01\, V$ છે. તો તેનું ટ્રાન્સકન્ડકટન્સ
નીચે આપેલ પરિપથ $8\; \mathrm{V}\;dc$ રેગ્યુલેટેડ વૉલ્ટેજ ઉદગમ તરીકે વર્તે છે. જ્યારે $12 \;\mathrm{V}$ ઈનપુટ આપવામાં આવે ત્યારે દરેક ડાયોડમાથી વ્યય થતો પાવર ($\mathrm{mW}$ માં) કેટલો હશે? (બંને ઝેનર ડાયોડ એક સરખા છે)