ફોટોડાયોડની વાહકતા ફક્ત જયારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $660 \mathrm{~nm}$ થી ઓછી હોય ત્યારે બદલાય છે. ફોટોડાયોડ માટે બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{X}{8}\right) \mathrm{eV}$ જેટલો મળે છે, તો $X$ નું મૂલ્ય_________છે.
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si $ ના $5× 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. Si ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 ×10^{28}$ પરમાણુ $/ m^3$ છે, તો સિલિકોનના $1 cm^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે ?
આકૃતિમાં શુદ્ધ સેમીકન્ડક્ટર $S$ દર્શાવેલ છે. શ્રેણીમાં અવરોધ $R$ અને એક સમાન વોલ્ટેજ સ્ત્રોત $V$ છે. એમ્પિયર મીટર $A$ નું અચળ મૂલ્યાંક મેળવા માટ $R$ ની કિંમત વધારી કે ઘટાડી શકાય છે. તો ક્યારે સેમીકન્ડક્ટર $S$ ગરમ થશે? કારણ આપો.
$P - N$ જંકશનમાંથી $0.5 V$ ની પોટેન્શિયલ બેરીયર મળે છે. જો ડેપ્લેશન પ્રદેશ $5×10^{-7}m$ પહોળો હોય તો આ પ્રદેશમાં ઈલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રની તીવ્રતા કેટલી હશે?