નીચેનામાંથી કયો પરિપથ પૂર્ણ તરંગ રૅક્ટિફાયર દર્શાવે છે ?
Easy
Download our app for free and get started
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
પૂર્ણ તરંગ $P.N$ ડાયોડ રેક્ટિફાયરમાં $1500$ $\Omega$ નો ભાર વાહક ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવતો. ધારો કે દરેક ડાયોડને લાક્ષણિક ભાર $Rf = 10$ $\Omega$ અને $Rf = \infty $ છે. જ્યારે દરેક ડાયોડને તરંગ વોલ્ટેજ લાગુ પાડવામાં આવે તેમનો કંપન વિસ્તાર $30$ વોલ્ટ અને આવૃત્તિ $50Hz$ છે, તો $d.c.$ પાવર ઈનપુટ અને $A.C$ પાવર આઉટપુટની કિંમત અનુક્રમે ........છે.
$500\;K $ તાપમાને શુદ્ઘ $Si$ માં ઇલેકટ્રોન સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા ઘનતા $ (n_h) $ સમાન એવી $1.5 \times10^{16 } \;m^{-3}$ છે. તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ઘિ ઉમેરતાં $n_h$ વઘીને $4.5 \times 10^{22} \;m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ઘિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...........