$Ge$ ની અશુદ્ધિને $Al$ સાથે ગોઠવવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું વિસ્તરણ $\cong10^{21} atoms/m^3 $ હોય છે. જો તે અંતર્ગત વિસ્તરણ $10^{19}/ m^3$ હોય, તો ઈલેક્ટ્રોનનું વિતરણ ........
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
એક ટ્રાન્ઝીસ્ટરના ત્રણ છેડા $P, Q$ અને $R$ નું મલ્ટીમીટર દ્રારા ટેસ્ટીંગ કરવામાં આવે છે. P અને Q છેડા વચ્ચે કોર પ્રવાહ વહેતો નથી. મલ્ટીમીટરના ઋણ છેડાને $R$ સાથે તથા ધન છેડાને $P$ તથા $Q$ સાથે જોડતાં મલ્ટીમીટરમાં થોડો અવરોધ જોવા મળે છે. તો ટ્રાન્ઝીસ્ટર માટે નીચેનામાંથી ક્યું વિધાન સાચું છે ?
$2 $ વોલ્ટની એક બેટરી એક ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ પૂરું પાડે છે. પરંતુ $0.5$ વોલ્ટ જેટલો વોલ્ટેજ ડાયોડમાં વહેતા પ્રવાહથી મુક્ત છે. $10 mA$ કરતાં વધારે પ્રવાહ પ્રવાહ ગેઈન, મોટો ઊર્જા વ્યય કરે અને ડાયોડને નુકસાન કરે છે. જો ડાયોડમાં $5 mA$ પ્રવાહ જોઈતો હોય તો, શ્રેણી પરિપથ કેટલો અવરોધ જોડવો જોઈએ?
$500\;K $ તાપમાને શુદ્ઘ $Si$ માં ઇલેકટ્રોન સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા ઘનતા $ (n_h) $ સમાન એવી $1.5 \times10^{16 } \;m^{-3}$ છે. તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ઘિ ઉમેરતાં $n_h$ વઘીને $4.5 \times 10^{22} \;m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ઘિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...........