Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ અણુઓમાં ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેઓ તેમના વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડકન બેન્ડ ઊર્જા સ્તર દ્વારા અલગ પડે છે. આ ઊર્જા સ્તર અનુક્રમે $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ અને ${({E_g})_{Ge}}$ દ્વારા સૂચવવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?