Taking \(log\) of both sides \(\log \lambda = \log \frac{h}{{\sqrt 2 m}} + \log \frac{1}{{\sqrt E }}\)
\(⇒\) \(\log \lambda = \log \frac{h}{{\sqrt 2 m}} - \frac{1}{2}\log E\)
\( \Rightarrow \log \lambda = - \frac{1}{2}\log E + \log \frac{h}{{\sqrt {2m} }}\)
This is the equation of straight line having slope \((-1/2)\) and positive intercept on \(log \lambda\)axis.
$A$. ફોટો પ્રવાહ આપાત વિકિરણની તીવ્રતાના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
$B$. ફોટો ઈલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$C$. ઉત્સર્જિત ફોટો ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃતિ પર આધાર રાખે છે.
$D$. ફોટોઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટે આપાત વિકિરણની ન્યૂનતમ થ્રેશોલ્ડ તીવ્રતાની જરૂર છે.
$E$. ફોટો ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિથી સ્વતંત્ર છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો ઉત્તર પસંદ કરો.
$(A)$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઘટનામાં, ફોટોઈલેટ્રોન્સના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$(B)$ પ્રકાશ ઉદગમને ધાતુ સપાટીથી દૂર ખસેડતા સંતૃપ્ત પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$(C)$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ ઉદગમનો વિદ્યુતકીય પાવર ઘટાડતા ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા ઘટે છે.
$(D)$ ધાતુ સપાટીમાંથી ફોટોઈલેટ્રોન્સનું તત્ક્ષણીક (ત્વરીત) ઉત્સર્જન પ્રકાશના વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપની મદદથી સમજાવી શકાય નહી.
$(E)$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ (કારણ) પ્રકાશ/વિદ્યુત ચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂ૫ ની મદદથી સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.