$\left( I \right)1{s^2}\left( {II} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^2}\left( {III} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^5}$ અને $\left( {IV} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^6}$ કઇ રચના આયોનિક અને સાથે સાથે સહસંયોજક બંધ બનાવવાની ક્ષમતા ધરાવે છે?

$(A)$ ${SO}_{3}$   $(B)$ ${NO}_{3}^{-}$    $(C)$ ${PCl}_{3}$   $(D)$ ${CO}_{3}^{2-}$

વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે. 

કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે . 

$Al_2Cl_6$ $-$ $Al_2(CH_3)_6$ $-$ $AlF_3$ $-$ $BeCl_2$નો ડાઇમર  $-$  $BeH_2$નો ડાઇમર

(Note : સંપૂર્ણ અષ્ટક માટે $C$ અને અપૂર્ણ અષ્ટક માટે $IC$)