વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
JEE MAIN 2015, Diffcult
Download our app for free and get started
b
Assertion is correct but reason is incorrect. Bonding \(MO\) shows constructive interference of the combining electron oxide waves.
Assertion is correct but reason is incorrect. Bonding \(MO\) shows constructive interference of the combining electron oxide waves.
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1નીચે આપેલા માંથી સ્પીસિઝોની સંખ્યા કે જે સમચોરસ પિરામીડલ બંધારણ ધરાવે છે તે $...........$View Solution
$PF _5, BrF _4^{-}, IF _5 ; BrF _5, XeOF _4, ICl _4^{-}$
- 2View Solutionબંધકોણનો ખોટો ક્રમ કયો છે?
- 3View Solutionનીચેનામાંથી કોની આયનીય લાક્ષણિકતા સૌથી ઓછી છે ?
- 4વાતાવરણીય દબાણે $HF, H_2S, NH_3$ ના ઉત્કલન બિંદુનો ક્રમ નીચે પ્રમાણે ગોઠવી શકાય છે.View Solution
- 5$HCO{O^ - }$એનાયનમાં બે કાર્બન ઓક્સિજન બંધો સમાન લંબાઇના છે એનું કારણ શું છે?View Solution
- 6View Solutionનીચે આપેલા અણુઓમાંથી ક્યું એક મહત્તમ દ્રીધ્રુવ ચાકમાત્રા ધરાવે છે?
- 7નીચે આપેલામાંથી સ્પીસીઝો ની કુલ સંખ્યા કે જેમાં એક અયુગ્મિત ઈલેક્ટ્રોન હાજર છે તે. . . . . . છે $\mathrm{N}_2, \mathrm{O}_2, \mathrm{C}_2^{-}, \mathrm{O}_2^{-}, \mathrm{O}_2^{2-}, \mathrm{H}_2^{+}, \mathrm{CN}^{-}, \mathrm{He}_2^{+}$View Solution
- 8નીચે આપેલા પરિબળો ની સંખ્યા કે જે આયનિક બંધના ટકાવાર સહસંયોજક પ્રકૃતિ પર આસર કરે છે.તે $.......$ છે.View Solution
$A$.ધન આયન ની ધ્રુવીકરણ શક્તિ (સામર્થ્ય)
$B$.ઋણ આયન ના વિચ્છેદ (વિકૃતિ) ની હદ (વિસ્તાર)
$C$.ઋણ આયન ની ધ્રુવીયતા
$D$. આયન ની ધ્રુવીકરણ શક્તિ (સામર્થ્ય)
- 9View Solutionનીચેનામાંથી ક્યું વિધાન સાચું નથી?
- 10View Solutionનીચેનામાંથી કોનો આકાર સમચતુષ્ફલકીય હશે?