MCQ
n-टाइप अर्द्धचालक का उदाहरण है-
- Aशुद्ध जर्मेनियम
- Bशुद्ध सिलिकॉन
- Cआर्सेनिक मिला जर्मेनियम
- Dबोरॉन मिला जर्मेनियम
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यंग वु एक द्विझिरी प्रयोग में झिरियों $($स्लिटों$)$ के बीच की दूरी $2\ mm$ है। इनको $\lambda_1=12000 A$ तथा $\lambda_1=$ $10000 A$ तरंगदैर्ध्य के फोटॉनों से प्रदीप्त $($प्रकाशित$)$ किया गया है। यदि झिरियों से पर्दे की दूरी $2 m$ हो तो, केन्द्रीय दीप्त फ्रिंज के कितनी न्यूनतम दूरी पर, व्यतिकरण के उत्पन्न दोनों तरंगों की दीप्त फ्रिंजें संपाती $($एक दूसरे के ऊपर$)$ होगी?
→
एक पतली विद्युत चालक $R$ त्रिज्या की रिंग(छल्ले) को $+Q$ आवेश दिया गया है। रिंग के केन्द्र $O$ पर रिंग के भाग $AKB$ के आवेश के कारण विद्युत फील्ड का मान $E$ है। रिंग के शेष भाग $ACDB$ के आवेश के कारण केन्द्र $O$ पर विद्युत क्षेत्र का मान होगा :
एक $p - n$ फोटोडायोड को बैन्ड गैप (अन्तराल) $2.5 eV$ के अर्धचालक से बनाया गया है। यह किस तरंग दैर्ध्य के संकेत का संसूचन कर सकता है:-
→एक 2 किग्रा द्रव्यमान की गेंद और दूसरी 4 किग्रा की गेंद को 60 फीट ऊँची बिल्डिंग से गिराया जाता है। पृथ्वी की ओर 30 फीट गिरने के बाद दोनों की गतिज ऊर्जाओं का अनुपात होगा:
$p - n$ संधि के अग्रदिशिक बायसन में:
→जैसा कि आरेख $($ चित्र $)$ में दिखाया गया है, एक जेनर डायोड को जिसकी भंजक वोल्टता $15 V$ है। किसी वोल्टता नियंत्रक परिपथ में प्रयुक्त किया गया है, तो डायोड से होकर जाने वाली विद्युत धारा का मान है:
→$100 \%$ दक्षता वाले ट्रांसफार्मर की प्राथमिक व द्वितीयक कुण्डलियों में प्रवाहित हो रही धारा का अनुपात $1: 4$ है तो प्राथमिक द्वितीयक कुण्डलियों पर वोल्टता का अनुपात है
→रेडियो न्यूक्लाइड के अपक्षय नियतांक के व्युत्क्रम को कहा जाता है
किसी दिये गये सेल का आन्तरिक प्रतिरोध ज्ञात करने के लिये प्रयुक्त एक विभवमापी के तार की लम्बाई $4$ मी है और इसके सिरों से जुड़ी मुख्य बैटरी का विद्युत वाहक बल $ \text{(EMF)}\ 2.0$ वोल्ट है। बैटरी का आन्तरिक प्रतिरोध नगण्य है। दिये गये सेल के सिरों पर जोड़े गये प्रतिरोधक $R$ का प्रतिरोध $(i)$ अनन्त $(ii) \ 9.5 \Omega$ रखने पर विभवमापी की सन्तुलन लम्बाइयां क्रमशः $3$ मी तथा $2.85$ मी हैं तो, सेल का आन्तरिक प्रतिरोध होगा
→साबुन का बुलबुला प्रकाश में रंगीन दिखता है जिसका कारण है