a In option (1), P-side is connected to the higher potential \(\left(V_{H}=0 V\right)\) and \(N-\) side is connected to the lower potential \(\left(V_{L}=-3 \vee\right) .\) Hence, it is forward biased.
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
પૂર્ણ તરંગ $P.N$ ડાયોડ રેક્ટિફાયરમાં $1500 $ $\Omega$ નો ભાર વાહક ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવતો. ધારો કે દરેક ડાયોડને લાક્ષણિક ભાર $R_f = 10$ $\Omega$ અને $R_f =\infty $ છે. જ્યારે દરેક ડાયોડને તરંગ વોલ્ટેજ લાગુ પાડવામાં આવે તેમનો કંપન વિસ્તાર $30$ વોલ્ટ અને આવૃત્તિ $50Hz $ છે, તો ભાર વિદ્યુત પ્રવાહની $peak,$ સરેરાશ અને $rms$ ની કિંમત અનુક્રમે ........છે.
$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si $ ના $5× 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. Si ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 ×10^{28}$ પરમાણુ $/ m^3$ છે, તો સિલિકોનના $1 cm^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે ?
આપેલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે, $CE$ સંરચનામાં ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે ટ્રાન્સફર લાક્ષણિકતા પરથી આ સંરચના માટે પાવર અવધિનું મૂલ્ય $10^x$ મળે છે. અત્રે $R _{ B }=10\,k\,\Omega$, અને $R _{ C }=1\,k\,\Omega$ છે. $x$ નું મૂલ્ય .......... થશે.
$PN$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ કરીને અર્ધ તરંગ રેક્ટિફાયરમાં એમ્પ્લિટ્યુડ $25$ અને આવૃત્તિ $50Hz $ છે. કોઈ ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવ્યો અને ભાર વિદ્યુતપ્રવાહ $1000$ $\Omega$ છે. લાક્ષણિક ડાયોડનો ફોરવર્ડ વિદ્યુતપ્રવાહ $10$ $\Omega$ છે. તો ભાર વિદ્યુત પ્રવાહની $peak,$ સરેરાશ અને $rms$ ની કિંમત અનુક્રમે ........છે.