કથન $I$ : જ્યારે $Si$ નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે $P$ પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી $P-$પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને $N-$પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે.

કથન $II$ : જયારે $P-$પ્રકાર અને $N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે.

ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.

ક્થન $(A)$ : $p-n$ જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ  કરતા વધારે હોય, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય.

Reason $R:$ Diffusion current in a $p-n$ junction is from the $n$-side to the $p$-side if the junction is forward biased.

કારણ $(R)$ : $p-n$ જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહ $n$ બાજુથી $p$ બાજુ સુધીનો હોય છે, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય.

ઉપરોક્ત વિધાનોમાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.