b (b)Due to the large concentration of electrons in \(N-\)side and holes in \( P-\)side, they diffuses from their own side to other side. Hence depletion region produces.
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લિફાયરમાં કલેકટર વચ્ચે વોલ્ટેજ $3\;V $ છે. કલેકટર અવરોધ $3\,k\Omega $ છે. જો પ્રવાહ ગેઇન $100$ અને બેઝ અવરોધ $2\,k\Omega $ હોય, તો એમ્પ્લિફાયરનો વોલ્ટેજ અને પાવઇ ગેઇન કેટલો થાય?
શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
નીચે આપેલ પરિપથ બે આદર્શ ડાયોડ ધરાવે છે. જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50\,\Omega $ છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6\,V$ હોય તો $100\,\Omega $ ના વિરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે.