$Si{(C{H_3})_4}$ નું બંધારણ અને સંકરણ કયુ છે?
AIPMT 1996, Medium
Download our app for free and get started
d
The structure and hybridization of $Si \left( CH _3\right)_4$ is tetrahedral and $sp ^3-$ hybridisation because $Si$ forms $4$ bond pairs.
The structure and hybridization of $Si \left( CH _3\right)_4$ is tetrahedral and $sp ^3-$ hybridisation because $Si$ forms $4$ bond pairs.
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1નીચેના સંયોજનોમાંથી ક્યા તેમના કેન્દ્રીય અણુ સાથે સમાન નંબરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવે છે?View Solution
$(I)\, XeF^-_5$ $(II)\, BrF_3$ $(III)\, XeF_2$ $(IV)\, H_3S^+$ $(V)$ ત્રિપલ મિથીલિન
- 2સૂચી $-I$ સાથે સુચી$-II$ ને જોડો.View Solution
સૂચી $-I$ (અણુ) સૂચી $-II$ (બંધ ક્રમાંક) $(a)$ $Ne _{2}$ $(i)$ $1$ $(b)$ $N _{2}$ $(ii)$ $2$ $(c)$ $F _{2}$ $(iii)$ $0$ $(d)$ $O _{2}$ $(iv)$ $3$ નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.
- 3વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.View Solution
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
- 4$\mathrm{CO}$ અને $\mathrm{NO}^{+}$ ના બંધક્રમાંકનો સરવાળો ___________છે.View Solution
- 5$BF_2NH_2$ પરમાણુ સંબંધિત ખોટું વિધાન ક્યું છે?View Solution
- 6આણ્વિય આયન $N_2^ + $ માટે, આણ્વિય કક્ષક આલેખમાં ${\sigma _{2p}}$ આણ્વિય કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા જણાવો.View Solution
- 7View Solutionનીચેના પૈકી પ્રક્રિયામાં ક્રમમાં બંધક્રમાંક વધે છે અને અનુચુંબકીય લાક્ષણિકતા પ્રતિચુંબકીયમાં બદલાઈ જાય છે ?
- 8${CO}$ અને ${NO}$ના બંધ-ક્રમાંક વચ્ચેનો તફાવત ${NO}^{\oplus}$ એ $\frac{{x}}{2}$છે, જ્યાં ${x}=.....$View Solution
- 9View Solutionઆયનીય સંયોજનની લેટાઈસ ઊર્જા તેના પર નિર્ભર છે
- 10View Solutionનીચેના માંથી શેમાં સંહસયોજક બંધ જોવા મળે છે