Input resistance, \(R_{i}=100 \Omega\)
Change in base current, \(\Delta I_{B}=40 \mu \mathrm{A}\)
Change in collector current, \(\Delta I_{\mathrm{c}}=2 \mathrm{mA}\)
Load resistance, \(R_{L}=4 \mathrm{k} \Omega=4 \times 10^{3} \Omega\)
Current gain, \(\beta=\frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}}=\frac{2 \mathrm{mA}}{40 \mu \mathrm{A}}=\frac{2 \times 10^{-3} \mathrm{A}}{40 \times 10^{-6} \mathrm{A}}=50\)
Voltage gain of the amplifier is
\(A_{V}=\beta \frac{R_{L}}{R_{i}}=50 \times \frac{4 \times 10^{3}}{100}=2000\)
કથન $I$ : જ્યારે $Si$ નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે $P$ પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી $P-$પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને $N-$પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે.
કથન $II$ : જયારે $P-$પ્રકાર અને $N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે.
ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.