કથન $I$ : જ્યારે $Si$ નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે $P$ પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી $P-$પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને $N-$પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે.
કથન $II$ : જયારે $P-$પ્રકાર અને $N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે.
ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.
When \(P-N\) junction is formed an electric field is generated form \(N\)-side to \(P\)-side due to which barrier potential arises \& majority charge carrier can not flow through the junction due to barrier potential so current is \(zero\) unless we apply forward bias voltage.
$A.$ તે પુષ્કળ ડોપિંગ ધરાવતું $p-n$ જંકશન છે.
$B.$ તેને જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે ત્યારે જ પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે.
$C.$ તેન જ્યારે રીવર્સ બાયસ આપવામાં આવે ત્યારે જ પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે.
$D.$ ઉત્સર્જિત પ્રકાશની ઉર્જા વાપરવામાં આવેલ અર્ધવાહકના ઉર્જા અંતરાલના બરાબર અથવા થોડીક ઓછી હોય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાયો જવાબ પસંદ કરો.