$(I)\, (CH_3)_2P(CF_3)_3$ એ બિન-ધ્રુવીય અને $(CH_3)_3P(CF_3)_2$ એ ધ્રુવીય અણુ છે
$(II)\, CH_3 \widehat{P} CH_3$નો બંધખૂણો અણુ $(CH_3)_3P(CF_3)_2$માં સમાન છે
$(III)\,$ $PF_3$ ધ્રુવીય દ્રાવક કરતા $SiF_4$માં વધુ દ્રાવ્ય બનશે.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .