$(I)$ $Y$ની ઇલેક્ટ્રોનની આકર્ષવાની ક્ષમતા ઊંચી હોય    $(II)$ $X$ની આયનીકરણ ઊર્જા નીચી હોય

$(III)$ $XY$ની લેટિસ ઉર્જા ઊંચી હોય   $(IV)$ $XY$ની લેટિસ ઉર્જા નીચી હોય

સાચો વિક્લપ પસંદ કરો

ઇલેક્ટ્રોન ભૂમિતિ     $-$       સંબંધિત ઇલેક્ટ્રોન ભૂમિતિથી શક્ય પરમાણુ આકાર

$\left( I \right)1{s^2}\left( {II} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^2}\left( {III} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^5}$ અને $\left( {IV} \right)1{s^2}2{s^2}2{p^6}$ કઇ રચના આયોનિક અને સાથે સાથે સહસંયોજક બંધ બનાવવાની ક્ષમતા ધરાવે છે?

 આયનીય સંયોજનો $JX, LY$ અને $MZ$ ની સ્ફટિક રચના સમાન છે, તો તેઓની સ્ફટિકરચના ઊર્જાનો સાચો ક્રમ .....

$(I)$ બંધ લંબાઇનો ક્રમ : $H^-_2 = H^+_2 > H_2$

$(II)\, O^+_2 ,NO,N^-_2$ બધા સમાન બંધ ક્રમાંક $2 \frac{1}{2}$ ધરાવે છે.

$(III)$ બંધ ક્રમાંક શૂન્ય સુધીના કોઈપણ મૂલ્યને ધારે છે

$(IV)\, NO^-_3$ અને $BO^-_3$ બંને $X - O$ બંધ માટે સમાન બંધ ક્રમાંક ધરાવે છે (જ્યાં $X$ એ કેન્દ્રિય પરમાણુ છે)

$(I)\, CO^{2-}_3$      $(II)\, XeF_4$     $(III)\, I^-_3$  $(IV)\, NCl_3$   $(V)$ $BeCl_2$

$N(SiH_3)_3 ;\,\,\, Me_3N;\,\,\, (SiH_3)_3P$

$(I)\, SF_4 ,XeF_4\,\,\, (II)\, I^-_3,XeF_2\,\,\, (Ill)\, ICl^+_4 , SiCl_4\,\,\,(IV)\, ClO^-_3,PO^{3-}_4$

$(I)$ ઇલેક્ટ્રોનની જુદી જુદી જોડી વચ્ચે અપાકર્ષણનો ક્રમ $l_P - l_P > l_P - b_P > b_P - b_P$ છે

$(II)$ સામાન્ય રીતે, જેમ જેમ કેન્દ્રીય અણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની જોડીની સંખ્યા વધે છે,સામાન્ય બંધખૂણાથી બંધખૂણા નું મૂલ્ય પણ વધે છે.

$(III)$ $H_2O$માં $O$ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $2$ છે જ્યારે $NH_3$માં $N$ પર $1$ છે

$(IV)$ ઝેનોન ફ્લોરાઇડ્સ અને ઝેનોન ઓક્સીફ્લોરાઇડ્સના બંધારણોને $VSEPR$ સિદ્ધાંતના આધારે સમજાવી શકાયું નહીં

$(I)\, XeF^-_5$   $(II)\, BrF_3$   $(III)\, XeF_2$   $(IV)\, H_3S^+$  $(V)$ ત્રિપલ મિથીલિન

                       $NO^-_3, CO^{2-}_3 ,CO^-_3 ,SO_3$

$(I) \,NCO^-$       $(II)\, CS_2$      $(III)\, \overset{+}{\mathop{N}}{{O}_{2}}$     $(IV)$ ઘન $BeH_2$