\(R =100 \Omega , L =0.1803 H\)
\(C =10_{\mu} F , S=2 J /{ }^{\circ} C\)
\(Z-\sqrt{R^{2}+\left(X_{L}-X_{C}\right)^{2}}-\sqrt{R^{2}+(\omega L-1 / \omega C)^{2}}\)
\(=\sqrt{ R ^{2}+\left(2 \pi fL -\frac{1}{2 \pi fC }\right)^{2}}\)
Putting values
\(|Z|=834 \Omega\)
In \(AC\) power \(P = V _{ rms } i _{ rms }\) \(cos\phi\)
\(\operatorname{Cos} \phi=\frac{ R }{| Z |} \quad i _{ rms }=\frac{ V _{ rms }}{| Z |}\)
\(=\frac{V_{\max }^{2} R}{(|Z|)^{2}}\)
\(=\left(\frac{20}{834}\right)^{2} \times 100=0.0575 J / s\)
\(H = Pt = S \cdot \Delta\theta\)
\(t =\frac{2(10)}{0.0575}=348 sec\)
વિધાન$-I:$ $ac$ પરિપથમાં કેપેસિટરનો પ્રવાહ તેના વોલ્ટેજ કરતાં આગળ હોય છે.
વિધાન$-II:$ માત્ર શુદ્ધ કેપેસીટન્સ ધરાવતા $a.c.$ પરિપથમાં, પ્રવાહ અને વોલ્ટેજ વચ્ચેનો કળા તફાવત $\pi$ હોય છે
ઉપરોક્ત વિધાનોના સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.