\( \Rightarrow \,\frac{{dn}}{{dt}} = \frac{P}{E} = \frac{{P\lambda }}{{nc}}\,\,\,\,\,\,\,\,\,\left[ {\because \,\,E = \frac{{nc}}{\lambda }} \right]\)
\( \Rightarrow \,\frac{{dn}}{{dt}} = \frac{{694 \times {{10}^{36}} \times {{10}^{ - 9}}}}{{3 \times {{10}^8} \times 6.6}} = 3.49 \times {10^{20}}\)
$(A)$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઘટનામાં, ફોટોઈલેટ્રોન્સના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$(B)$ પ્રકાશ ઉદગમને ધાતુ સપાટીથી દૂર ખસેડતા સંતૃપ્ત પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$(C)$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ ઉદગમનો વિદ્યુતકીય પાવર ઘટાડતા ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા ઘટે છે.
$(D)$ ધાતુ સપાટીમાંથી ફોટોઈલેટ્રોન્સનું તત્ક્ષણીક (ત્વરીત) ઉત્સર્જન પ્રકાશના વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપની મદદથી સમજાવી શકાય નહી.
$(E)$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ (કારણ) પ્રકાશ/વિદ્યુત ચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂ૫ ની મદદથી સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.