\(k =G G^*\)
\(=\frac{1}{R} G^*\)
\(G^* =k \times R=0.0210 \times 60=1.26\,cm ^{-1}\)
$C{u^{2 + }}_{({C_1}aq)} + Zn(s) \Rightarrow Z{n^{2 + }}_{({C_2}aq)} + Cu(s)$ તાપમાને મુક્તઊર્જા ફેરફાર $\Delta G$ એ .... નું વિધેય છે.
$Sn ^{2+}+2 e ^{-} \rightarrow Sn$
$Sn ^{4+}+4 e ^{-} \rightarrow Sn$
ઈલેક્ટ્રોન (વિદ્યુતધ્રુવ) પોટેન્શિયલ ની $E _{ Sn ^{2+} / Sn }^{\circ}=-0.140 V$ અને $E _{ Sn ^{4+} / Sn }^{\circ}=0.010 V$ છે. $Sn ^{4+} / Sn ^{2+}$
$E^{o} _{ Sn ^{4+} / Sn ^{2+}}$માટે પ્રમાણિત ઈલેક્ટ્રોડ (વિદ્યુતધ્રુવ) પોંટેન્શિયલની માત્રા........ $\times 10^{-2} V$ છે. (નજીકનો પૂર્ણાક)
$A$. વિદ્યૃતકાર્ય કે જે પ્રક્રિયા અચળ દબાણ અને તાપમાન પર કરી શકે છે.તે પ્રક્રિયા ગિબ્સ ઊર્જા જેટલી છે.
$B$. $E ^{\circ}$ કોષ એ દબાણ ઉપર આધારિત છે.
$C$. $\frac{d E^\theta \text { cell }}{ dT }=\frac{\Delta_{ r } S ^\theta}{ nF }$
$D$. પોટેન્શિયલ તફાવતના વિરોધી સ્રોત દ્વારા જો કોષ પોટેન્શિયલ બરાબર સંતુલિત હોય તો કોષ ઊલટાવી શકાય તેવું કાર્ય કરે છે.