$500\;K $ તાપમાને શુદ્ઘ $Si$ માં ઇલેકટ્રોન સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા ઘનતા $ (n_h) $ સમાન એવી $1.5 \times10^{16 } \;m^{-3}$ છે. તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ઘિ ઉમેરતાં $n_h$ વઘીને $4.5 \times 10^{22} \;m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ઘિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...........
  • Aએ $ P$  પ્રકારનો અર્ધવાહક છે, જેમાં ઇલેકટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $n_e = 5 \times 10^9 \;m^{-3 }$ હશે.
  • Bએ $N$  પ્રકારનો અર્ધવાહક છે, જેમાં ઇલેકટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $n_e = 5 \times 10^{22} \;m^{-3 }$ હશે.
  • Cએ $ P $ પ્રકારનો અર્ધવાહક છે, જેમાં ઇલેકટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $n_e = 2.5 \times 10^{10 } \;m^{-3 }$ હશે.
  • Dએ $N $ પ્રકારનો અર્ધવાહક છે, જેમાં ઇલેકટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $ n_e = 2.5 \times 10^{23} \;m^{-3 }$ હશે.
AIPMT 2011, Medium
Download our app for free and get startedPlay store
a
          \(p\) -type semiconductor is obtained when \(\mathrm{Si}\) or \(Ge\) is doped with a trivalent impurity like aluminium \((Al)\), boron \((B)\), indium \((In)\) etc,

Here, \(n_{i}=1.5 \times 10^{16} \mathrm{m}^{-3}, \quad n_{h}=4.5 \times 10^{22} \mathrm{m}^{-3}\)

As \(\quad n_e, n_{h}=n_{i}^{2}\)

\(n_{e}=\frac{n_{i}^{2}}{n_{h}}=\) \(\frac{\left(1.5 \times 10^{16} \mathrm{m}^{-3}\right)^{2}}{4.5 \times 10^{22} \mathrm{m}^{-3}}\) \(=5 \times 10^{9} \mathrm{m}^{-3}\)

art

Download our app
and get started for free

Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*

Similar Questions

  • 1
    વિધાન$-I :$ સિલિકોન અર્ધવાહકમાં પેન્ટાવેલેન્ટ અશુધ્ધિ ઉમેરવામાં આવે તો તેમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે. 

    વિધાન$-II :$ $n-$પ્રકારના અર્ધવાહક પરિણામી ઋણ વિજભાર ધરાવે છે. 

    ઉપર આપેલા વિધાનો માટે નીચે પૈકી સાચો જવાબ પસંદ કરો. 

    View Solution
  • 2
    સોડિયમના પ્રકાશમાં  $( \lambda  = 589 nm) $ ફોટોનની ઊર્જાતેના અર્ધવાહક પદાર્થના ઊર્જા પટ્ટાને સમાન છે. તો $E/kT$ ની $300 K$ તાપમાને કિંમત શોધો.
    View Solution
  • 3
    ચાર $NAND$ ગેટ તંત્ર માટે સત્યાર્થતા કોષ્ટક .......છે.
    View Solution
  • 4
    ....... અર્ધવાહક રચનાને કાર્યરત કરવા રિવર્સ બાયસ આપવું પડે છે.
    View Solution
  • 5
    નીચે દર્શાવેલ પરિપથમાં, $Y = 1$ આઉટપુટ મેળવવા માટે ઇનપુટ શું હોવું જોઈએ?
    View Solution
  • 6
    $2 $ વોલ્ટની એક બેટરી એક ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ પૂરું પાડે છે. પરંતુ $0.5$ વોલ્ટ જેટલો વોલ્ટેજ ડાયોડમાં વહેતા પ્રવાહથી મુક્ત છે. $10 mA$ કરતાં વધારે પ્રવાહ પ્રવાહ ગેઈન, મોટો ઊર્જા વ્યય કરે અને ડાયોડને નુકસાન કરે છે. જો ડાયોડમાં $5 mA$ પ્રવાહ જોઈતો હોય તો, શ્રેણી પરિપથ કેટલો અવરોધ જોડવો જોઈએ?
    View Solution
  • 7
    અર્ધવાહકમાં, કન્ડકશન બેન્ડમાંના ઈલેકટ્રોન $\left(n_e\right)$ અને તેના અવરોધ ઉપર તાપમાનના વધારાની અસર $..............$ છે.
    View Solution
  • 8
    નીચે દર્શાવેલ પરિપથોમાંથી કયો ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે?
    View Solution
  • 9
    નીચે દર્શાવેલ પરિપથમાં, મહત્તમ ઝેનર ડાયોડ પ્રવાહ $..........mA$ થશે.
    View Solution
  • 10
    કોમન એમીટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે ઈનપુટ અવરોધના વ્યસ્ત અને વૉલ્ટેજ વચ્ચેનો વાસ્તવિક ગ્રાફ કેવો મળે?
    View Solution