Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
$500\;K $ તાપમાને શુદ્ઘ $Si$ માં ઇલેકટ્રોન સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા ઘનતા $ (n_h) $ સમાન એવી $1.5 \times10^{16 } \;m^{-3}$ છે. તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ઘિ ઉમેરતાં $n_h$ વઘીને $4.5 \times 10^{22} \;m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ઘિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...........
$PN$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ કરીને અર્ધ તરંગ રેક્ટિફાયરમાં ઓમ્પિપ્યુડ $25 $ અને આવૃત્તિ $50Hz$ છે. કોઈ ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવ્યો અને ભાર વિદ્યુતપ્રવાહ $1000$ $\Omega$ છે. લાક્ષણિક ડાયોડનો ફોરવર્ડ વિદ્યુતપ્રવાહ $10$ $\Omega$ છે. તો રેક્ટિફાયરની કાર્ય ક્ષમતા ...... $\%$ છે.
આકૃતિમાં એક $ Si $ ડાયોડ અને $Ge $ ડાયોડને શ્રેણીમાં જોડેલા છે. આ બંને ડાયોડને ફૉરવર્ડ બાયસમાં લાવવા માટે બિંદુ $A$ પર કેટલું વિદ્યુતસ્થિતિમાન .....$V$ જોઈએ ?
અર્ધવાહકમાં સમાન ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $6×10^8/ m^3$ છે. કેટલીક અશુદ્ધિ ઉમેરતાં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9×10^{12 }/ m^3$ થાય છે. નવા હોલની સાંદ્રતા શોધો.