અર્ધવાહક $(semiconductor)$ માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n-$ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19}\, m^{-3}$ અને તેની મોબીલિટી $1.6\, m^2/(V.s)$ હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... $\Omega m$ ની નજીક હશે.
($n-$ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)
JEE MAIN 2019
Download our app for free and get started
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
$500\;K $ તાપમાને શુદ્ઘ $Si$ માં ઇલેકટ્રોન સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા ઘનતા $ (n_h) $ સમાન એવી $1.5 \times10^{16 } \;m^{-3}$ છે. તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ઘિ ઉમેરતાં $n_h$ વઘીને $4.5 \times 10^{22} \;m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ઘિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...........
કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ અણુઓમાં ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેઓ તેમના વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડકન બેન્ડ ઊર્જા સ્તર દ્વારા અલગ પડે છે. આ ઊર્જા સ્તર અનુક્રમે $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ અને ${({E_g})_{Ge}}$ દ્વારા સૂચવવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?
શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} atom/cm^3 $ જેટલામાં ફોસ્ફરસ મિશ્ર કરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 cm^2/ volt$ $sec$ હોય તો $20° C $ એ અવરોધકતા કેટલા ......$\Omega$ $cm$ હશે?
નીચે આપેલ પરિપથ બે આદર્શ ડાયોડ ધરાવે છે. જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50\,\Omega $ છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6\,V$ હોય તો $100\,\Omega $ ના વિરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે.