$Cu$ અને $Ge$ એ $70 K$ તાપમાને ઠંડા પાડી શકાય તો.....
A$Cu$ નો અવરોધ ઘટશે અને તેથી $Ge $ નો પણ ઘટશે
B$Cu$ અવરોધ ઘટશે અને તેથી $Ge $ નો અવરોધ વધશે
C$Cu $ અને $Ge $ બન્નેનો અવરોધ વધશે
D$Cu $ અને $Ge $ બન્નેનો અવરોધ ઘટશે
Easy
Download our app for free and get started
b
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
$NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં $10^{10 } $ ઈલેક્ટ્રોન એમીટરમાં $10^{-6}$ સેકન્ડ માં દાખલ થાય છે અને $2\%$ ઈલેક્ટ્રોન બેઝમાં હોલ સાથે જોડાય છે. તો પ્રવાહ ગેઈન $\alpha$ અને $\beta$ અનુકમે .....છે.
કોમન એમીટર એમ્પ્લીફાયરમાં ઈનપુટ અવરોધ $2\, k \,\Omega$ અને $a.c.$ પ્રવાહ ગેઈન $20$ છે. જો લોડ અવરોધ $5\, k\, \Omega$ હોય તો ટ્રાન્ઝીસ્ટરનો ટ્રાન્સ કન્ડક્ટન્સ ગણો.
$P - N$ જંકશન ડાયોડ $10 mA$ ના વિદ્યુત પ્રવાહ સાથે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં રહે છે. ડાયોડનો સ્થિત વિદ્યુત પ્રવાહ $0.5 V$ છે. ધારો કે વિદ્યુતપ્રવાહ સ્વતંત્ર છે. તો આ માટે બેટરી દ્વારા ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં અવરોધ $200$ $\Omega$ હોય તે વખતે શ્રેણીમાં મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલા .....$V$ હશે?
$N-$ પ્રકારના $Ge $ માં ઈલેક્ટ્રોન્સની મોબિલીટી $5000cm^2/volt sec$ અને વાહકતા $5mho/cm $ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણી શકાય એવી હોય તો મિશ્રણના અશુદ્ધતાનું પ્રમાણ કેટલું હશે?
$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન બનાવી તેમાંથી એક $LED$ બનાવવામાં આવે છે. તેના માટે ઉર્જા ગેપ $1.9\; eV$ છે. તો તેમાંથી ઉત્સર્જાતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી મળે?