ધાતુ અને અર્ધધાતુમાં તાપમાનમાં ફેરફાર કરતાં તેના અવરોધમાં થતો ફેરફાર કોના કારણે હોય છે?
AIEEE 2003, Easy
Download our app for free and get started
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
આકૃતિમાં એક $ Si $ ડાયોડ અને $Ge $ ડાયોડને શ્રેણીમાં જોડેલા છે. આ બંને ડાયોડને ફૉરવર્ડ બાયસમાં લાવવા માટે બિંદુ $A$ પર કેટલું વિદ્યુતસ્થિતિમાન .....$V$ જોઈએ ?
અર્ધવાહકમાં સમાન ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $6×10^8/ m^3$ છે. કેટલીક અશુદ્ધિ ઉમેરતાં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9×10^{12 }/ m^3$ થાય છે. નવા હોલની સાંદ્રતા શોધો.
આપેલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે, $CE$ સંરચનામાં ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે ટ્રાન્સફર લાક્ષણિકતા પરથી આ સંરચના માટે પાવર અવધિનું મૂલ્ય $10^x$ મળે છે. અત્રે $R _{ B }=10\,k\,\Omega$, અને $R _{ C }=1\,k\,\Omega$ છે. $x$ નું મૂલ્ય .......... થશે.
સિલિકોન ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઇનપુટ અવરોઘ $100\;\Omega$ છે. બેઝ પ્રવાહમાં $40\;\mu A$ નો ફેરફારના પરિણામે કલેક્ટર પ્રવાહમાં $2\,mA$ નો ફેરફાર થાય છે. જો આ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ $4\,K \Omega$ ના લોડ અવરોઘના એમ્પ્લીફાયર તરીકે કરવામાં આવે છે. એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન કેટલો થશે?