એક પૂર્ણતરંગ રેક્ટિફાયર પરિપથ બે $p-n$ જંકશન ડાયોડ, સેન્ટર ટેપ ટ્રાન્સફોર્મર, સંધારક અને લોડ અવરોધ ધરાવે છે. આમાંથી ક્યો ઘટક રેક્ટિફાઈડ આઉટપુટમાંથી $ac$ રીપલ દૂર કરે છે?
NEET 2023, Easy
Download our app for free and get started
d
Capacitor used to remove \(AC\) ripples from Rectifier output.
Capacitor used to remove \(AC\) ripples from Rectifier output.
Download our appand get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
Similar Questions
- 1$60\, dB$ પાવર ગેઇન ધરાવતું $npn$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર કોમન એમીટર એમ્પ્લિફાયર તરીકે વર્તે છે.પરિપથનો ઈનપુટ અવરોધ $100\,\Omega $ અને આઉટપુટ અવરોધ $10 \,k\,\Omega $ છે. કોમન એમીટરનો પ્રવાહગેઇન $\beta $ કેટલો થાય?View Solution
- 2$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન બનાવી તેમાંથી એક $LED$ બનાવવામાં આવે છે. તેના માટે ઉર્જા ગેપ $1.9\; eV$ છે. તો તેમાંથી ઉત્સર્જાતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી મળે?View Solution
- 3આપેલ પરિપથમાં બેટરીમાથી વહેતા વિદ્યુતપ્રવાહ $(I).............$ થશે.View Solution
- 4$P - N$ જંકશન ડાયોડ $10 mA$ ના વિદ્યુત પ્રવાહ સાથે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં રહે છે. ડાયોડનો સ્થિત વિદ્યુત પ્રવાહ $0.5 V$ છે. ધારો કે વિદ્યુતપ્રવાહ સ્વતંત્ર છે. તો આ માટે બેટરી દ્વારા ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં અવરોધ $200$ $\Omega$ હોય તે વખતે શ્રેણીમાં મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલા .....$V$ હશે?View Solution
- 5બેઝ વિદ્યુતપ્રવાહ $ 100 \mu A$ છે અને ક્લેક્ટર વિદ્યુતપ્રવાહ $3mA$ હોય, તો $\beta$, $\alpha$ અને $Ie$ ની કિંમત અનુક્રમે ........છે.View Solution
- 6View Solutionપરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે?
- 7ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો વિદ્યુત એમ્પ્લિફીકેશન ગુણાંક $50$ છે. $CE$ એમ્પ્લિફાયર પરિપથમાં કલેક્ટર અવરોધ $5 k $ $\Omega$ અને દાખલ અવરોધ $1 k $ $\Omega$ છે. જ્યારે દાખલ વોલ્ટેજ $0.01V$ હોય ત્યારે બહાર નીકળતો વોલ્ટેજ ........$V$ છે.View Solution
- 8View Solutionનીચેનો ગેટ કયો છે.
- 9$CE$ ઍમ્પ્લિફાયરને લાગુ પાડેલ ઇનપુટ વૉલ્ટેજ $v_i = 0.2 sin 1000t\,\, volt$ છે. જો ઍમ્પ્લિફાયરનો વૉલ્ટેજ ગેઇન $10$ હોય, તો આઉટપુટ વૉલ્ટેજનું સમીકરણ ....... $volt.$View Solution
- 10શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.View Solution