એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલો છે. જેનો સ્થિતિમાન અચળ છે. જો કેપેસિટરોની પ્લેટોને દૂર ખસેડવામાં આવે તો વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા....
A
ઘટે છે અને પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર પણ ઘટે છે.
B
અચળ રહે છે પરંતુ પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર ઘટે છે.
C
અચળ રહે છે પરંતુ પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર વધે છે.
D
વધે છે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર ઘટે છે.
Easy
Download our app for free and get started
a
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક) ની પ્લેટોની વચ્ચેના વિસ્તારમાં સમાંગ વિધુતક્ષેત્ર $'\overrightarrow{\mathrm{E}}'$ પ્રવર્તે છે, જે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $'d'$ અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $'A'$ હોય તો સંધારકમાં સંગ્રહિત ઊર્જા $......$ છે.$\left(\varepsilon_{0}=\right.$ શૂન્યાવકાશની પરમીટીવીટી$)$
દર્શાવેલ આકૃતિમાં, સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક (માધ્યમના) સંયોજન બનાવીને એક કેપેસીટર રચવામાં આવેલ છે. આ રીતે બનાવેલ કેપેસીટરના કેપેસીટન્સનું સૂત્ર ......... થશે. (પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $=A$ છે)
એક ટૂંકા વિદ્યુત દ્વિધ્રુવીયની દ્વિધ્રુવીય ચાક્માત્રા $16 \times 10^{-9}\, Cm$ છે. આ દ્વિધ્રુવીયના અક્ષ સાથે $60^{\circ}$ ખૂણો બનાવતી એક રેખા પર, આ દ્વિધ્રુવીયના કેન્દ્રથી $0.6\, m$ અંતરે રહેલ એક બિંદુ પર આ દ્વિધ્રુવીયના કારણે લાગતું વિધુતસ્થિતિમાન $.........V$ છે
$\left(\frac{1}{4 \pi \epsilon_{0}}=9 \times 10^{9} Nm ^{2} / C ^{2}\right)$
પ્લેટોની વચ્ચે હવાનું માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9\ pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $'d'$ છે. હવે પ્લેટોની વચ્ચેની જગ્યાને ડાય-ઈલેકટ્રીક વડે ભરવામાં આવે છે. જેમાં એક ડાઈ ઈલેકટ્રીક પાસે $ K_1 = 3$ અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક અને જાડાઈ $d$ છે. જ્યારે બીજા પાસે ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. તો હવે, કેપેસિટરનું કેસિટન્સ ......$pF$ શોધો.
આકૃતિમાં $5 \;nc$ નો ચાર્જ ધરાવતો ઘન ગોળાર્ધ બતાવેલ છે. જેને તેના કદ પર સમાન રીતે વીજભારિત કરેલ છે. ગોળાર્ધ સમતલ પર રાખેલ છે. બિંદુ $p$ એ, વક્રના કેન્દ્રથી $15 \;cm$ અંતર છે. ગોળાર્ધ દ્વારા $p$ પર વિદ્યુતસ્થિતિમાન ..... $V$
$10\,\mu F$ ની સંઘારકતા ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ સંઘારકો $C _1$ અને $C _2$ ને સ્વતંત્ર રીતે $100\,V\,D.C.$ ઉદગમથી વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે. સંઘારક $C _1$ ને ઉદગમ સાથે જોડેલા રાખીને તેની પ્લેટોની વચ્ચે અવાહક ચોસલું દાખલ કરવામાં આવે છે. સંઘારક $C _2$ એ ઉદગમથી છુટ્ટો કર્યા પછી તેની પ્લેટો વચ્ચે અવાહક ચોસલું દાખલ કરવામાં આવે છે. ત્યાર બાદ સંઘારક $C _1$ ને પણ ઉદગમથી છુટું કરી અંતમાં બંને સંઘારકોને સમાંતર જોડાણમાં જોડવામાં આવે છે. આ સંયોજનનું સામાન્ય સ્થિતિમાન $............\,V$ થશે.(ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $=10$ છે તેમ ધારો)
એક કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C=1\, \mu \,{F}$ છે તેને $100\, volt$ ની બેટરી સાથે ${R}=100\, \Omega$ થકી એકદમ જોડવામાં આવે છે. $....\,\times \,10^{-4}\,s.$ સમય બાદ કેપેસીટર $50 \,{V}$ સુધી વિજભારિત થશે?