ફોટો સેલ થી $20\ cm$ અંતરે એક પ્રકાશનો સ્ત્રોત મૂકેલો છે અને શોધેલું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.6\ V $ છે. જો સ્ત્રોતનું અંતર બદલીને $40\ cm$ કરવામાં આવે તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા ........... $V$ હશે?
  • A$0.3$
  • B$0.6$
  • C$1.2$
  • D$2.4$
Medium
Download our app for free and get startedPlay store
b
\(e(0.6) = hv - hv_0    …..(1)\)

\(e(VS) = hv - hv_0 …..(2)\)

\(V_S = 0.6\)

\(v →\) અંતર પર આધારિત નથી આથી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અંતર સાથે બદલાતું નથી.

art

Download our app
and get started for free

Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*

Similar Questions

  • 1
    ધાતુની સપાટી પર ફોટોન આપાત થયા બાદ, સપાટીમાંથી ફોટોઈલેકટ્રૉનનું ઉત્સર્જન થવા માટે લાગતો સમય આશરે ........... હોય છે.
    View Solution
  • 2
    $2.8\ Å$ લેટાઈસ સ્પેસિંગ વાળા સ્ફટિક પર $1\ Å$ તરંગલંબાઈનું ક્ષ કિરણ પુંજ આપાત કરવામાં આવે છે. પ્રથમ ક્રમના વિવર્તન માટે બ્રેગના ................ $^o$ ખૂણાનું મૂલ્ય શોધો.
    View Solution
  • 3
    પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $3.0 \mathrm{eV}$ છે. આ પદાર્થાંમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તે માટે પ્રકાશની સૌથી મોટી તરંગલંબાઈ, લગભગ_________હશે.
    View Solution
  • 4
    ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $ 4.125 \;eV$ છે. આ સપાટી માટે કટ ઓફ તરંગલંબાઇનું મૂલ્ય ........... $\mathring A$ હશે
    View Solution
  • 5
    દ બ્રોગ્લી તરંગો ગતિ કરતાં કણો સાથે સંકળાયેલા છે આ કણો .......હોય શકે.
    View Solution
  • 6
    નીચે આપેલ બે કથનોનો આપેલા છે. એક ને કથન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ વડે દર્શાવેલ છે.

    ક્થન $A$ : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ફોટો-ધાતુનું વર્કફંક્શન (કાર્યવિધેય) કરતાં ઓછી હોય તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર મળશે નહી.

    ક્થન $R$  : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ધાતુના કાર્યવિધેય જેટલી હશે તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શૂન્ય થશે.

    ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો

    View Solution
  • 7
    નીચે બે વિધાન આપેલા છે 

    વિધાન $I$ : આકૃતિ  બે ફોટોસંવેદી દ્રવ્યો $\mathrm{M}_1$ અને $\mathrm{M}_2$ માટે સ્ટોપીંગ પોટેન્શીયલ (વિભવ) નો આવૃત્તિ ($v$) સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{\mathrm{h}}{\mathrm{e}}$ નું મૂલ્ય આપે છે, જ્યાં $\mathrm{h}$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક, $e$ એ ઈલેક્ર્રોન પરનો વિદ્યુતભાર.

    વિધાન $II$ : સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિ૨ણ માટે $\mathrm{M}_2$ એ વધારે ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન્સ ઉત્પન કરશે. ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદભમાં, નીચે આપેલા વિક્લ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.

    View Solution
  • 8
    નીચેનામાંથી ક્યું વિધાન સાયું નથી ?
    View Solution
  • 9
    $V _{ p }$ અને $V _{ d }$ સ્થિતિમાનથી પ્રવેગીત થતા પ્રોટોન અને ડ્યુટેરોનની તરંગ લંબાઈઓનો ગુણોત્તર $1: \sqrt{2}$ છે. તો $V _{ p }$ ને $V _{ d }$ નો ગુણોત્તર $..........$ થશે.
    View Solution
  • 10
    $100\ W$ ક્ષમતા ધરાવતા એક ઈલેક્ટ્રિક બલ્બ દ્વારા દર સેકન્ડે $410\ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન ઉત્સર્જિત થાય છે, તો ફોટોનની સંખ્યા ...... હશે. $(h = 6 × 10^{-34} J . s, c = 3 ×10^8 ms^{-1})$
    View Solution